Universidade Federal Rural de Pernambuco Recife, 08 de Novembro de 2025

Resumo do Componente Curricular

Dados Gerais do Componente Curricular
Tipo do Componente Curricular: MÓDULO
Unidade Responsável: COORDENAÇÃO PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA FÍSICA-PRPG (11.01.29.17.18)
Código: PPEF0018
Nome: CIRCUITOS ELETRÔNICOS E APLICAÇÕES
Carga Horária Teórica: 60 h.
Carga Horária Prática: 0 h.
Carga Horária de Ead: 0 h.
Carga Horária Dedicada do Docente: 0 h.
Carga Horária Total: 60 h.
Pré-Requisitos:
Co-Requisitos:
Equivalências:
Matriculável On-Line: Sim
Horário Flexível da Turma: Sim
Horário Flexível do Docente: Sim
Obrigatoriedade de Nota Final: Sim
Pode Criar Turma Sem Solicitação: Sim
Necessita de Orientador: Não
Exige Horário: Sim
Permite CH Compartilhada: Não
Quantidade de Avaliações:
Ementa/Descrição: INTRODUÇÃO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES., DIODOS DE JUNÇÃO E SUAS CARACTERÍSTICAS TERMINAIS, TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET, TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (BJT), AMPLIFICADORES OPERACIONAIS, ELETRÔNICA DIGITAL, DISPOSITIVOS ESPECIAIS DE CHAVEAMENTO. CONTEÚDO PROGRAMÁTICO: - INTRODUÇÃO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES: Bandas de energia nos sólidos, Isolantes, semicondutores e metais, Fenômenos de transporte em semicondutores, Semicondutor intrínseco e dopagem de semicondutor, A junção PN. - DIODOS DE JUNÇÃO E SUAS CARACTERÍSTICAS TERMINAIS: Características do diodo, O diodo Zener, Aplicações de diodo, Retificação. Regulação de tensão, Fonte CC. - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FETs): Princípios de operação dos MOSFETs Princípio de operação do JFET, Polarização. FETs como amplificadores. MOSFETs de potência, Uso de FETs como chaves. - TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (BJT): Princípios de operação. Modos de operação, Polarização, O BJT como amplificador, O BJT de potência, Uso do BJT como chave eletrônica. AMPLIFICADORES OPERACIONAIS. O caso ideal. Configurações básicas, O amplificador operacional real e suas limitações práticas. - ELETRÔNICA DIGITAL. Conceitos básicos, Inversores NMOS, Portas NMOS, Inversor com BJT, Circuitos DTL, Circuitos TTL, Circuitos ECL. - DISPOSITIVOS ESPECIAIS DE CHAVEAMENTO: O SCR e seu princípio de operação, métodos de disparo e métodos de comutação. O TRIAC e seu princípio de operação e modos de disparo. O tiristor bloqueável (GTO), O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) e seu princípio de funcionamento, Exemplos de aplicações de dispositivos de chaveamento. BIBLIOGRAFIA BÁSICA: 1. A.S. Sedra & C. Smith, Microeletrônica, 4a ed, Makron Books, 2005. 2. J. Millman & C.C. Halkais, Eletrônica, 2 ed, vol. 1/2, McGrawHill do Brasil, 1981. 3. M. H. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 2a Ed, Prentice-Hall Internacional, 1988. 4. S.M. Resende, A Física de Materiais e Dispositivos Eletrônicos, Universidade Federal Pernambuco - UFPE, Recife, PE, Brasil, 1996 BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR: 1. N. Mohan; T. M. Underland & W. P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications and Design, 2a ed, John Wiley and Sons, 1995.
Referências:

SIGAA | Secretaria de Tecnologias Digitais (STD) - https://servicosdigitais.ufrpe.br/help | Copyright © 2006-2025 - UFRN - producao-jboss04.producao-jboss04 v4.18.8